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| 扩散硅压力变送器 |
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扩散硅压力传感器系全部采用进口芯片，经过精心的结构设计，信号处理和组装，并按照国家标准和企业标准，进行测试而生产出来的新一代压力传感器。基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特点晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制作一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化（一对变大一对变小）再激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器。
特点
输出温度灵敏度高
一般应变式传感器输出仅为10mV左右，而扩散硅传感器满量程输出为100mV左右，干扰及噪音等因素影响相对较小，放大电路成本也相应降低，分辨率大大提高。零压力附近无死区。
精度高，重复性好
扩散硅压阻式压力传感器实现了压力受感，压力传递，力-电转换在同一元件上实现，无中间转换环节，无压力滞后，无机械位移变形，保证了极小的重复性和迟滞误差，和良好的线性度，无蠕变、稳定、可靠、寿命长。
良好的温度特性
由于采用了激光调阻，计算机补偿等先进技术和巧妙控制扩散浓度，实现满量程温度漂移（灵敏度温度系数）自补偿。克服了半导体晶片本身温度系数大的缺陷，使变送器的灵位和满度温控制到了较小的范围，拓宽了使用温区。
适合于危险易爆的领域和场所应用
扩散硅压力传感器，变送器具有低电流、低电压、低功耗的特点。
高可靠性和抗干扰性能
产品由于采用了不锈钢材质与特殊防护结构，和放大电路的防雷击、抗干扰、抗过压、过流等一系列保护手段，提高了可靠的密封防腐和抗恶劣工作环境的能力，完全适合一般工业现场测量和控制的需要。
技术参数
技术对象：液体、气体或蒸汽
测量范围：表压：0-1kpa~100mpa 绝压：0~100kpa~35Mpa,负压：-0.1Mpa~2Mpa
输出：4~20MADC
电源：12~36VDC
负载特性：4~20mADC 二线制
温度范围：-40℃~+85℃
外壳防护：优于IP65
防爆 类型：隔爆型ExdⅡCT6
综合精度： 精度等级：0.1%、0.2%
稳定性：优于±0.25%FS/3年
温度影响：-10℃~+60℃范围内，变化量小于±0.1%/10℃(0.1级) 变化量小于±0.15%/10℃(0.2级)
-30℃~-10℃，60℃~+85℃：变化量小于±0.15%/10℃（0.1级） 变化量小于±0.2%/10℃（0.2级）
振动影响 在任何方向上振动频率为20-200Hz时，变化量小于±0.02%BFSL。
冲击影响 任何方向100G冲击11ms后，变化量小于±0.02%BFSL
负载影响 只要输入变送器的端子电压高于12V，就无负载影响。
位置影响：安装位置不影响零点
结构材料 外壳：不锈钢和低铜铸铝
接触介质材料与选择的传感器类型及采用的密封方式有关
全焊接结构：316L ss
"O“型圈密封结构：聚四氯乙烯或氟橡胶
过程连接：标准提高M20*1.5外螺纹
电气连接：可根据需从任何一个出口引出，建议使用10工业电缆作为引线，以便密封，引出接头可选用通用电缆接头PG16或M20*1.5,不引线一端用端盖封住。
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